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半导体激光器
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光电探测器(光电二极管)

光电探测器(光电二极管)根据不同的操作原理,设计成反向偏压模式,将光信号转为电信号。光电二极管,类似于半导体二极管,一般采用PIN结(而不是p-n结),用以提高响应速度。当光子的能量足够击穿电极时,电子被激发出来,形成自由电子和正电荷,这种机制称为光电效应,电荷往正极偏移,电子往负极偏移,产生光电流。光电流是光信号和暗背景信号的总和,必须控制暗背景信号,以便增强设备的灵敏度。

光电二极管材料
光电二极管的材料是决定其性能的关键因素,包括:硅(190-1100nm)、锗(400-1700nm)、铟镓砷(800-2600nm)、硫化铅(1000-3500nm)。硅光电管应用比较普遍,具有较低的噪声。

光电二极管特点

1. 响应度:光电流和入射光功率的比值,采用A/W表示,响应度也说明了量子效率。
2. 暗电流:没有作用光的情况下,光电管所产生的电流,暗电流由背景辐射和半导体结的饱和电流所产生。
3. 噪声等效功率(NEP):产生光电流的最小输入光功率,等效于1Hz带宽的噪声均方根。NEP的倒数1/NEP,是探测度D,大致反映了光电管的探测能力。如果光电管应用于光通讯系统,NEP将影响光接收机的响应度,即光接收机实现指定误码率的最小输入功率。

光电二极管应用

光电二极管应用广泛,其应用类似于光敏半导体、光电耦合器件、光电倍增管。
1. 光电二极管(PIN),类似于光敏半导体,用于消费电子设备, 包括:光盘播放器、烟雾探测器、录像机和电视机的遥控接收器。光电二极管用于工业和科研领域的精确测量系统,包括:医疗检测设备、分析仪器、工业检测、光通讯。
2. 雪崩光电管(APD),类似于光电耦合器件和光电倍增管,用于微弱信号的场合,包括:光文学、光谱仪、夜视设备、激光测距。
3. 光电二极管阵列(PDA),用于需要对多光谱进行快速检测的场合。例如,一维光电二极管阵列用于位置传感。光电管阵列的优势在于,针对驱动电路不是基于CMOS和CCD传感的场合,可以并行读取数据。

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